今天，Intel正式发布了新一代双路服务器芯片Xeon E5-2600 v4，代号为Broadwell-EP。
这个系列首次引入了14nm新工艺，性能比上代最高提升44%，核心数最高22个，支持DDR4-2400高速内存，价格在213-4015美元（约2.5万）之间（千颗批发价）。
因为工艺提升，Intel这次在456平方毫米下集成了72亿颗晶体管（顶级款），作为对比，之前的Haswell-EP旗舰在662平方毫米下才只有56.9亿颗和18核心。
Xeon E5-2600 v4系列处理器主要改进。
官方宣称性能提升多达44%。
这次发布的Xeon E5-2600 v4系列处理器一共有27款，依据面向的市场不同大体分为五种级别，其中双路服务器标准版有16款，频率优化版有3款，低功耗有2款，双路工作站版有1款，还有面向存储及通讯设备的5款。
旗舰是E5-2699 V4和Xeon E5-2698 V4，前者采用22核心设计，44线程，55MB三缓，基频2.2GHz，加速可到3.6GHz，热设计功耗145W，工作站的特征指标可到160W，支持最新的AVX/AVX2指令集。
从外媒早期的测试来看，旗舰款的性能甚至可以撼平四路的E7-8870 V4。
随着Xeon E5 2600 v4的发布，Intel今天还推出了多款高端SSD，走PCIe 3.0 x4通道，首批支持NVMe 1.2，连续读取的最高速度达到了惊人的2100MB/s。
本次闪存合作伙伴仍然是美光，这是Intel第一次使用美光的3DNAND技术，推出的SSD型号分别为DC P3320, DCP3520, D3700、D3600，用于企业级和数据中心。
其中，DC P3320有2.5寸U.2接口版本和PCI-E卡版本，有450GB、1.2TB和2TB三种容量，当中450GB只有U.2接口版本，接口采用PCI-E 3.0 x4通道，支持NVMe 1.2，使用的是Intel 256 Gb MLC 32层堆叠3D NAND技术。
性能上， 2TB版本的DC P3320最大连续读写速度为1600/1400 MB/s，最大4K随机读写IOPS分别为365,000/22,000。至于DC P3520的细节Intel暂时没有公开，只是表示与DC P3320相比有明显的性能提升和延时改进，使它更适合存储虚拟化与web托管环境。
DC D3700和DC D3600则是Intel首次的推出双接口SSD，适合那些7*24在线访问和保障故障修复的在线交易处理类应用。两者都是使用2.5寸盘型U.2接口，搭载Intel HET MLC闪存，DC D3700的容量又800GB和1.6TB两种，而DC D3600的容量则为1TB和2TB。其中D3600 2TB的连续读取可达2100MB/s、写入1500MB/s，随机读取470K，写入30K。
上市时间最快在今年第二季度末，价格未披露。
